Samsung Electronics hat die Massenproduktion seines HBM4-Speichers der nächsten Generation angekündigt und damit die erste kommerzielle Auslieferung von HBM4-Produkten an Kunden bestätigt. Der Schritt erfolgt, da die Speicherpreise weiter steigen und Lieferanten der kurzfristigen Versorgung Vorrang einräumen, um die boomende KI-Nachfrage zu decken.
Laut Angaben von VideoCardz steigert die neue HBM4-Technologie von Samsung die Bandbreite, Effizienz und Kapazität im Vergleich zu HBM3E erheblich.
Samsung HBM4 liefert bis zu 3,3 TB/s pro Stack
Laut Samsung erreicht HBM4 eine Übertragungsrate von 11,7 Gbit/s pro Pin, mit Tuning-Unterstützung bis zu 13 Gbit/s. Das Unternehmen bezeichnet 11,7 Gbit/s als 46 % schneller als ein 8-Gbit/s-Industriestandard.
Im Vergleich zu seinem eigenen HBM3E gibt Samsung eine 1,22-mal höhere maximale Pin-Geschwindigkeit und eine Bandbreite von bis zu 3,3 TB/s pro Stack an, was einer 2,7-mal höheren Bandbreite pro Stack als HBM3E entspricht.
Der Leistungssprung ist teilweise auf einen erheblichen I/O-Anstieg zurückzuführen. HBM4 verdoppelt die Pin-Anzahl von 1.024 auf 2.048 und ermöglicht so einen höheren parallelen Datendurchsatz für KI-Beschleuniger und Rechenzentrums-GPUs.
Basierend auf fortschrittlichen DRAM- und Logikprozessen
Der HBM4 von Samsung verwendet seinen 1c-DRAM-Prozess, der als Knoten der 10-nm-Klasse der 6. Generation beschrieben wird. Der Logik-Basischip basiert auf einem 4-nm-Prozess, wodurch Leistung und Effizienz weiter verbessert werden.
Zu den anfänglichen Konfigurationen gehören 12-Layer-Stacks mit einer Kapazität von 24 GB bis 36 GB, während zukünftige 16-Layer-Stacks auf bis zu 48 GB skaliert werden können. Diese höheren Kapazitäten zielen auf KI-GPUs der nächsten Generation ab, die riesige On-Package-Speicherpools erfordern.
Leistungs- und Wärmegewinne gegenüber HBM3E
Samsung meldet erhebliche Effizienzverbesserungen mit HBM4, darunter eine um 40 % bessere Energieeffizienz als HBM3E, einen um 10 % verbesserten Wärmewiderstand und eine um 30 % bessere Wärmeableitung.
Diese Gewinne sind für KI-Beschleuniger von Bedeutung, die mit extremer Leistung betrieben werden und unter anhaltender Arbeitslast in Rechenzentren arbeiten.
KI-Giganten sind bereits als Anwender bestätigt
Mehrere große Chiphersteller haben die Einführung von HBM4 öffentlich bestätigt. NVIDIA wird HBM4 in seiner Rubin-GPU-Architektur verwenden, während AMD HBM4 in einer 432-GB-Konfiguration für seinen Instinct MI430X auflistet. Berichten zufolge ist Intel für seine Gaudi-Plattform der nächsten Generation mit dem Codenamen Jaguar Shores mit HBM4 verbunden.
Da KI-Trainingscluster schnell skalieren, ist Speicher mit hoher Bandbreite zu einem strategischen Engpass geworden.
Samsung gibt an, die HBM4-Produktionskapazität zu erweitern und geht davon aus, dass sich der gesamte HBM-Umsatz im Jahr 2026 im Vergleich zu 2025 mehr als verdreifachen wird.
Mit Blick auf die Zukunft ist die Probenahme von HBM4E für die zweite Hälfte des Jahres 2026 geplant, während kundenspezifische HBM-Muster voraussichtlich im Jahr 2027 bei den Kunden eintreffen werden.
In der Zwischenzeit erforschen andere Akteure alternative Speicheransätze. AMD und Qualcomm evaluieren SOCAMM2-Speicher, während einige Hersteller aufgrund von Lieferengpässen und Preisdruck über in China hergestellten Speicher nachdenken.
Da die Nachfrage nach KI-Hardware den Halbleitermarkt weiter verändert, scheint HBM4 ein zentraler Baustein für GPUs und Rechenzentrumsbeschleuniger der nächsten Generation zu werden.
*️⃣ Quelllink:
Samsung Electronics hat angekündigt , Zulieferer priorisieren kurzfristige Lieferungen, AMD und Qualcomm evaluieren SOCAMM2, Hersteller erwägen in China hergestellten Speicher,