L’annonce du HBM4 de Samsung a récemment attiré l’attention, mais la société semble évoluer de manière tout aussi agressive dans l’espace LPDDR. Selon Wccftech, citant le média coréen The Bell, Samsung Electronics aurait expédié des échantillons de mémoire LPDDR6X à Qualcomm.
Le rapport affirme que Samsung a déjà terminé le développement de la mémoire LPDDR6 standard. La production de masse devrait commencer avant la fenêtre de lancement du second semestre 2026, positionnant LPDDR6 comme la prochaine étape majeure au-delà de LPDDR5.
Samsung pousse le LPDDR6X vers les accélérateurs d’IA
Les vitesses initiales du LPDDR6 devraient atteindre 10,7 Gbit/s, Samsung visant une efficacité 21 % supérieure à celle du LPDDR5. Les futures variantes LPDDR6 pourraient évoluer jusqu’à 14,4 Gbit/s ou même plus, en fonction des configurations finales et de la prise en charge de la plate-forme.
Samsung a envoyé des échantillons LPDDR6X à Qualcomm. Bien que le LPDDR6 ne soit pas encore disponible dans le commerce, Samsung propose de manière proactive des produits dérivés.
L’AI250, dont la sortie est prévue en 2027, devrait comporter le LPDDR6X.https://t.co/6TitYDLjj4
– 포시포시 (@harukaze5719) 12 février 2026
LPDDR6X, décrit comme une évolution avancée de LPDDR6, reste en cours de développement. Les spécifications officielles n’ont pas encore été finalisées par le JEDEC, et davantage de détails techniques sont attendus plus tard cette année.
Selon la rumeur, Qualcomm AI250 adopterait LPDDR6X
Qualcomm devrait utiliser LPDDR6X dans son prochain accélérateur AI250, qui succédera à l’actuel AI200. L’AI200 prend déjà en charge jusqu’à 768 Go de mémoire LPDDR, et les rumeurs de l’industrie suggèrent que l’AI250 pourrait pousser la capacité au-delà de 1 To en utilisant LPDDR6X.
Cette approche diffère des stratégies de mémoire à large bande passante utilisées par les principaux acteurs des centres de données. Des entreprises telles que NVIDIA, AMD et Huawei s’appuient généralement sur HBM pour leurs accélérateurs d’IA de premier plan, en donnant la priorité à une bande passante et à des performances maximales.
La stratégie de Qualcomm ressemble aux conceptions GPU basées sur Crescent Island Xe3P d’Intel en termes de philosophie de mémoire. Au lieu d’utiliser des piles HBM coûteuses, la conception s’appuie sur de grands pools de LPDDR pour équilibrer la capacité, le coût et l’efficacité énergétique.
LPDDR comme alternative axée sur les coûts à HBM
HBM offre une bande passante extrême mais introduit des coûts plus élevés, une plus grande consommation d’énergie et des exigences de conditionnement plus complexes. Les pénuries persistantes de DRAM ont également réduit l’offre de HBM, affectant la disponibilité des systèmes d’IA haut de gamme.
LPDDR offre une option plus rentable pour certains déploiements d’IA, en particulier lorsque la capacité de mémoire massive compte plus que la bande passante maximale. À mesure que les charges de travail d’IA se diversifient, tous les accélérateurs n’ont pas besoin d’un débit de classe HBM.
Ce contexte rend les développements LPDDR6 et LPDDR6X de Samsung d’une importance stratégique. Si l’AI250 de Qualcomm parvient à dépasser 1 To de LPDDR6X, il pourrait créer un nouveau niveau de performances entre les accélérateurs grand public et les systèmes ultra-premium basés sur HBM.
Il est peu probable que le LPDDR6X soit disponible avant fin 2027 ou début 2028. D’ici là, les expéditions d’échantillons de Samsung signalent un alignement précoce de l’écosystème avec des partenaires clés.
Dans le même temps, la dynamique plus large du marché de la mémoire continue d’évoluer. Certains fabricants envisageraient des alternatives de mémoire fabriquées en Chine, tandis que les fournisseurs se concentrent de plus en plus sur des contrats à court terme en raison de l’incertitude de la demande et de la volatilité des prix.
*️⃣ Lien source :
Annonce HBM4 de Samsung, Wccftech , https://t.co/6TitYDLjj4 , 12 février 2026 , compte tenu des alternatives de mémoire fabriquées en Chine, les fournisseurs se concentrent de plus en plus sur les contrats à court terme,