Samsung の HBM4 は 3.3 TB/s の帯域幅を実現し、生産が増加

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Samsung Electronics は、次世代 HBM4 メモリの量産を発表し、顧客への HBM4 製品の初の商業出荷を確認しました。この動きは、メモリ価格が上昇し続けており、サプライヤーがAI需要の急増に応えるために短期供給を優先している中で行われた。

VideoCardz 経由で共有された詳細によると、Samsung の新しい HBM4 テクノロジーは、HBM3E と比較して帯域幅、効率、および容量を大幅に向上させます。

Samsung HBM4 はスタックあたり最大 3.3 TB/秒を実現

Samsung によると、HBM4 はピンあたり 11.7 Gbps の転送速度に達し、最大 13 Gbps までのチューニングをサポートします。同社は、11.7 Gbps を業界標準の 8 Gbps より 46% 高速であると位置づけています。

Samsung は、自社の HBM3E と比較して、最大ピン速度が 1.22 倍高く、スタックあたりの帯域幅が最大 3.3 TB/秒であると述べています。これは、HBM3E よりもスタックあたりの帯域幅が 2.7 倍高いことを示しています。

パフォーマンスの飛躍的な向上の一部は、I/O の大幅な増加によるものです。 HBM4 はピン数を 1,024 から 2,048 に倍増し、AI アクセラレータとデータセンター GPU の並列データ スループットを向上させます。

高度な DRAM およびロジック プロセス上に構築

Samsung の HBM4 は、第 6 世代 10nm クラス ノードと呼ばれる 1c DRAM プロセスを使用しています。ロジックベースのダイは 4nm プロセスに依存しており、パフォーマンスと効率がさらに向上しています。

初期構成には 24GB ～ 36GB の 12 層スタックが含まれますが、将来の 16 層スタックは 48GB までスケールアップされます。これらの高容量は、大規模なオンパッケージ メモリ プールを必要とする次世代 AI GPU をターゲットとしています。

HBM3E と比較した電力と熱の向上

Samsung は、HBM3E よりも電力効率が 40% 向上し、熱抵抗が 10% 向上し、放熱が 30% 向上するなど、HBM4 による大幅な効率の向上を報告しています。

これらの利点は、データセンターで極端な電力レベルで実行され、持続的なワークロードの下で動作する AI アクセラレータにとって重要です。

AI 大手企業がすでに採用者として確認されている

いくつかの大手チップメーカーが HBM4 の採用を公的に認めています。 NVIDIA は Rubin GPU アーキテクチャで HBM4 を使用する予定ですが、AMD は Instinct MI430X の 432GB 構成で HBM4 をリストしています。 Intelは、コードネームJaguar Shoresという次世代GaudiプラットフォームのHBM4にリンクしていると報じられている。

AI トレーニング クラスターが急速に拡大するにつれて、高帯域幅メモリが戦略的なボトルネックになっています。

サムスンは、HBM4の生産能力を拡大しており、2026年のHBM総売上高は2025年と比較して3倍以上になると予想していると述べた。

今後の見通しとして、HBM4E のサンプリングは 2026 年後半に計画されており、カスタム HBM サンプルは 2027 年に顧客に届く予定です。

一方、他のプレーヤーは代替メモリのアプローチを模索しています。 AMDとクアルコムはSOCAMM2メモリを評価しているが、一部のメーカーは供給不足と価格圧力を理由に中国製メモリを検討している。

AI ハードウェアの需要が半導体市場を再形成し続ける中、HBM4 は次世代 GPU およびデータセンター アクセラレータの中核となる構成要素となるようです。

*️⃣ 出典リンク:

サムスン電子が発表、サプライヤーは短期供給を優先、AMDとクアルコムはSOCAMM2を評価、メーカーは中国製メモリを検討中、